[发明专利]堆叠式图像传感器及其形成方法有效
| 申请号： | 201810818017.6 | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110752226B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 赵立新 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种堆叠式图像传感器及其形成方法，采用多片晶圆堆叠形成图像传感器，包括如下步骤：A.在第一晶圆上形成像素单元的感光二极管，并形成组成对应完整像素单元的部分晶体管；B.将第一晶圆与第二晶圆完成晶圆级键合；C.减薄第二晶圆；D.在与第一晶圆像素单元位置相对应的第二晶圆上，形成组成对应完整像素单元的剩余晶体管，其与第一晶圆对应像素单元的感光二极管、部分晶体管构成完整像素单元。本发明的堆叠式图像传感器及其形成方法，感光二极管和部分晶体管形成于第一晶圆上，其他晶体管形成于第二晶圆上，共同构成完整的像素单元，工艺选择性更加多样化，改善感光二极管的结构性能，提高信号传输速度，优化图像传感器整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种堆叠式图像传感器的形成方法，其特征在于，采用多片晶圆堆叠形成图像传感器，其中包括如下步骤：/nA．在第一晶圆上形成像素单元的感光二极管，并形成组成对应完整像素单元的部分晶体管；/nB．将第一晶圆与第二晶圆完成晶圆级键合；/nC．减薄第二晶圆；/nD．在与第一晶圆像素单元位置相对应的第二晶圆上，形成组成对应完整像素单元的剩余晶体管，其与第一晶圆对应像素单元的感光二极管、部分晶体管构成完整像素单元。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
