[发明专利]核壳纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管有效
申请号: | 201810818183.6 | 申请日: | 2018-07-24 |
公开(公告)号: | CN110752319B | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 李艳丽 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明属于纳米材料技术领域,具体涉及一种核壳纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述核壳纳米材料包括ZnO纳米颗粒核和包覆在所述ZnO纳米颗粒核表面的ZnS壳层。以带隙相对较宽的ZnS壳层包覆带隙相对较窄的ZnO纳米颗粒核形成的核壳纳米材料,更有利于电子的传输,ZnS壳层包覆着ZnO纳米颗粒核可减少ZnO纳米颗粒核的表面缺陷,这样抑制了ZnO纳米颗粒核的表面缺陷对载流子的俘获,从而进一步提高了本发明核壳纳米材料的内核的电子传输性能,增强了核壳纳米材料的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 纳米 材料 及其 制备 方法 量子 发光二极管 | ||
【主权项】:
1.一种核壳纳米材料,其特征在于,所述核壳纳米材料包括ZnO纳米颗粒核和包覆在所述ZnO纳米颗粒核表面的ZnS壳层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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