[发明专利]像素阵列基板及其驱动方法有效
申请号: | 201810819972.1 | 申请日: | 2018-07-24 |
公开(公告)号: | CN108922899B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 俞方正;陈振彰;曹梓毅;刘品妙;蔡正晔 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;G09G3/32 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种像素阵列基板及其驱动方法,其中像素阵列基板包括基板、位于基板上的至少一像素结构以及液晶层。至少一像素结构包括微型发光二极管、支撑墙、位于支撑墙与微型发光二极管之间的第一底电极以及设置于支撑墙上且与第一底电极分离的第一顶电极。微型发光二极管包括第一电极、电性连接第一电极的第一半导体层、第二半导体层、位于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层以及电性连接第二半导体层的第二电极。液晶层设置于第一底电极上且位于支撑墙与微型发光二极管之间。 | ||
搜索关键词: | 像素 阵列 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】:
1.一种像素阵列基板,包括:一基板;至少一像素结构,位于该基板上,该至少一像素结构包括:一微型发光二极管,包括:一第一电极;一第一半导体层,电性连接该第一电极;一第二半导体层,至少部分与该第一半导体层重叠;一发光层,位于该第一半导体层以及该第二半导体层之间;以及一第二电极,电性连接该第二半导体层;一支撑墙,设置于该基板上;一第一底电极,设置于该基板上,且位于该支撑墙与该微型发光二极管之间;以及一第一顶电极,设置于该支撑墙上,且与该第一底电极分离;以及一液晶层,设置于该第一底电极上,且位于该支撑墙与该微型发光二极管之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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