[发明专利]一种梯度结构聚偏氟乙烯基复合介质及其制备方法有效
| 申请号： | 201810820695.6 | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN108998893B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 迟庆国;张月;唐超;李华;张天栋;张昌海;王暄 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | D04H1/728 | 分类号： | D04H1/728;D04H1/4382;D01F6/48;D01F1/10;H01G4/16 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 邓宇 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种梯度结构聚偏氟乙烯基复合介质及其制备方法，所述复合介质由BZCT NFs填充相和PVDF复合而成的，所述BZCT NFs填充相在复合介质中呈含量梯度多层排布。本发明结合溶胶‑凝胶法、静电纺丝技术以及热压等工艺制备了大长径比无机纳米纤维填充相和聚偏氟乙烯基复合薄膜介质，并将上述纳米纤维/聚合物基复合薄膜介质进行高温热压和淬火处理，获得了致密的复合薄膜。本发明制备的具有一维纳米填充相含量梯度的多层结构/聚合物基复合电介质具有柔韧性好、成本低、击穿强度高、储能性能优异等特点，能够缓冲高含量无机填充相带来的局部电场畸变，进而提高其储能性能，用以制造出高性能的能量储存器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 梯度 结构 聚偏氟 乙烯基 复合 介质 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种梯度结构聚偏氟乙烯基复合介质，其特征在于所述复合介质由BZCT NFs填充相和PVDF复合而成的，所述BZCT NFs填充相在复合介质中呈含量梯度多层排布。
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