[发明专利]陶瓷化绝缘分隔导体高压电缆及单线铜导体制造方法有效
| 申请号： | 201810820849.1 | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN109065250B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 何大海;钱朝辉;金金元;朱水良;岳振国;王学平 | 申请（专利权）人： | 浙江晨光电缆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B7/30 | 分类号： | H01B7/30;H01B9/00;H01B13/00 |
| 代理公司： | 33217 杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 项军 |
| 地址： | 314204 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种陶瓷化绝缘分隔导体高压电缆及单线铜导体制造方法，其中陶瓷化绝缘分隔导体高压电缆包括多股扇形截面线束导体、绕包线束导体的半导体带绕包层、包覆半导体带绕包层的交联绝缘层、绕包交联绝缘层的半导体缓冲阻水带绕包层、包覆半导体缓冲阻水带绕包层的铝护套、包覆铝护套的沥青防腐层、包覆沥青防腐层的外护套层，所述线束导体包括若干单线铜导体，本发明使用陶瓷化处理方法在单线铜导体表面形成金属氧化物陶瓷层，利用陶瓷层与纯铜导体的电阻差作为导体线束内部涡流绝缘层，将每根单线铜导体绝缘，充分隔离了涡流在导体内部的流通，抑制了涡流损耗，从而减小了较大直径与截面的交流高压电缆的“肌肤效应”。 | ||
| 搜索关键词： | 单线 导体 绕包层 铜导体 包覆 绝缘 分隔导体 高压电缆 陶瓷化 涡流 缓冲阻水带 交联绝缘层 沥青防腐层 半导体带 铝护套 线束 半导体 绝缘层 金属氧化物陶瓷层 陶瓷化处理 铜导体表面 纯铜导体 导体线束 肌肤效应 交流高压 扇形截面 外护套层 涡流损耗 电阻差 绕包线 陶瓷层 多股 减小 绕包 制造 电缆 隔离 流通 | ||
【主权项】：
1.一种陶瓷化绝缘分隔导体高压电缆，包括多股扇形截面线束导体、绕包线束导体的半导体带绕包层、包覆半导体带绕包层的交联绝缘层、绕包交联绝缘层的半导体缓冲阻水带绕包层、包覆半导体缓冲阻水带绕包层的铝护套、包覆铝护套的沥青防腐层、包覆沥青防腐层的外护套层，所述线束导体包括若干单线铜导体，其特征在于：所述单线铜导体表面设有金属氧化物陶瓷层，所述金属氧化物陶瓷层厚度在0.20mm至0.65mm范围内，所述金属氧化物陶瓷层在单线铜导体加热到550℃～600℃退火温度范围内通过化学反应生成；所述陶瓷化绝缘分隔导体高压电缆的制造方法为：在单线铜导体达到高压电缆产品所需的单线直径，然后加热到退火温度后，穿进陶瓷化反应管内，在反应管侧面设置了若干管接头，通过管接头以压力吹入的方式向反应管内添加纳米级粉末与浆液，纳米级粉末与浆液在反应管中进行化学反应，遇到被加热的单线铜导体表面形成金属氧化物陶瓷层，其中，纳米级粉末与浆液包括水蒸气、氧化钠、氯化钠、氢氧化钠、硫酸钙、氧化镁，以及管壁的氧化镍。/n
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