[发明专利]一类氟代乙基取代的二维层状锗及制备方法在审
| 申请号： | 201810821331.X | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110746268A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 封伟;赵付来;王宇;张鑫;冯奕钰 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C07C19/08 | 分类号： | C07C19/08;C07C17/23 |
| 代理公司： | 12214 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一类氟代乙基取代的二维层状锗及制备方法，以CaGe | ||
| 搜索关键词： | 氟代乙基 氟原子数 二维 半导体材料 惰性气体保护 光电器件 光学带隙 搅拌反应 超纯水 碘乙烷 光催化 前驱体 通氮气 避光 带隙 氟代 乙腈 锗烷 制备 应用 | ||
【主权项】：
1.一类氟代乙基取代的二维层状锗，其特征在于，按照下述步骤进行：将CaGe
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