[发明专利]一种半导体器件及其制备方法和包含其的电子装置在审
| 申请号： | 201810822268.1 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109052309A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 吴冬冬 | 申请（专利权）人： | 七色堇电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海知义律师事务所 31304 | 代理人： | 杨楠 |
| 地址： | 201400 上海市奉贤区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，制备在衬底上，包括：振膜结构、背极板结构和背腔，其特征在于：所述振膜结构包含：中间振膜和外围振膜，以及由所述中间振膜和所述外围振膜组成的细缝；所述中间振膜由若干离散锚点固定在所述衬底上，所述外围振膜由一薄膜圈固定在所述衬底上。这种将振膜相对密封的结构设计，其能提升器件低频性能。本发明还公开一种半导体器件的制备方法，和包括半导体器件的电子装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 振膜 中间振膜 衬底 制备 电子装置 振膜结构 外围 低频性能 提升器件 相对密封 薄膜圈 背极板 背腔 锚点 细缝 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，制备在衬底上，包括：振膜结构、背极板结构和背腔，其特征在于：所述振膜结构包含：中间振膜和外围振膜，以及由所述中间振膜和所述外围振膜组成的细缝；所述中间振膜由若干离散锚点固定在所述衬底上，所述外围振膜由一薄膜圈固定在所述衬底上。
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