[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201810823854.8 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109256444A | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 刘旺平;乔楠;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。由于设置在靠近N型GaN层一侧的第一超晶格结构中的AlGaN垒层的势垒高于第一超晶格结构与电子阻挡层之间的第二超晶格结构中的GaN垒层的势垒，AlGaN垒层可将大部分电子阻挡在第一超晶格结构中的InGaN阱层中。这种情况下部分来自P型GaN层的空穴在进入有源层时，不会立刻与电子复合发光，在空穴的迁移速率不变的情况下，空穴能够进入有源层的深度增加，空穴除了可与被阻挡在第一超晶格结构中的InGaN阱层中的电子进行复合发光之外，部分空穴还可与部分已迁移至第二超晶格结构中的电子进行复合发光，在有源层中有机会与电子进行复合发光的空穴的数量增加，最终提高了发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 空穴 超晶格结构 发光二极管 复合发光 垒层 源层 外延片 势垒 制备 迁移 阻挡 电子阻挡层 电子复合 发光效率 发光 制造 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底及依次层叠设置在所述衬底上的低温GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层及P型GaN层，其特征在于，所述有源层包括依次层叠的第一超晶格结构和第二超晶格结构，所述第一超晶格结构包括交替层叠的多个InGaN阱层和多个AlGaN垒层，所述第二超晶格结构包括交替层叠的多个InGaN阱层和多个GaN垒层，所述第一超晶格结构中AlGaN垒层的数量小于或等于所述第二超晶格结构中GaN垒的数量。
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