[发明专利]曝光方法和曝光装置有效
| 申请号： | 201810825545.4 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109782545B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 李永尧;刘恒信;郭宏铭;彭瑞君 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了用于制造半导体器件的曝光方法和曝光装置。在曝光装置中执行的方法中，基于曝光图和曝光区域内的芯片区域布局来设置聚焦控制有效区域和聚焦控制无效区域。测量横跨晶圆的聚焦调平数据。利用曝光光线曝光晶圆上的光刻胶层。当曝光区域的多个芯片区域的芯片区域位于晶圆的有效区域内时，芯片区域包括在聚焦控制有效区域中，并且当多个芯片区域的芯片区域的一部分或全部位于晶圆的有效区域的外围上或外部时，芯片区域包括在聚焦控制无效区域中。在曝光中，通过使用在聚焦控制有效区域处测量的聚焦调平数据来控制聚焦调平。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种在曝光装置中执行的方法，所述方法包括：基于曝光图和曝光区域内的芯片区域布局来设置聚焦控制有效区域和聚焦控制无效区域；测量横跨晶圆的聚焦调平数据；以及通过使用所述曝光装置利用曝光光线曝光所述晶圆上的光刻胶层，其中：在所述曝光区域中包括多个芯片区域，当所述多个芯片区域的芯片区域位于晶圆的有效区域内时，所述芯片区域包括在所述聚焦控制有效区域中，当所述多个芯片区域的芯片区域的部分或全部位于所述晶圆的有效区域的外围上或外部时，所述芯片区域包括在所述聚焦控制无效区域中，以及在所述曝光中，通过使用在所述聚焦控制有效区域处测量的所述聚焦调平数据来控制聚焦调平。
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