[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201810825958.2 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109087977B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述N型半导体层包括多个未掺杂的氮化钪铝层和多个N型掺杂的氮化镓层，多个所述氮化钪铝层和多个所述氮化镓层交替层叠设置。本发明通过将未掺杂的氮化钪铝层和N型掺杂的氮化镓层交替层叠形成N型半导体层，氮化钪铝层和氮化镓层的交界面存在较强的二维电子气，可以有效提升电子的横向扩展能力，不需要再设置电流扩展层实现电子在N型半导体层中分布的均匀性和一致性，减少外延片的串联电阻，降低芯片的正向电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述N型半导体层包括多个未掺杂的氮化钪铝层和多个N型掺杂的氮化镓层，多个所述氮化钪铝层和多个所述氮化镓层交替层叠设置。
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