[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上；有源层包括多个量子阱和多个量子垒，多个量子阱和多个量子垒交替层叠设置；量子垒包括M个未掺杂的氮化钪铝层和(M+1)个未掺杂的氮化镓层，M个氮化钪铝层和(M+1)个氮化镓层交替层叠设置，M为正整数。本发明通过在未掺杂的氮化镓层中插入至少一个未掺杂的氮化钪铝层作为量子垒，氮化钪铝层和氮化镓层配合，可以缓解蓝宝石和氮化镓之间晶格失配产生的应力和缺陷，提高LED的内量子效率，进而提高LED的发光效率。

主权项

1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述有源层包括多个量子阱和多个量子垒，所述多个量子阱和所述多个量子垒交替层叠设置；其特征在于，所述量子垒包括M个未掺杂的氮化钪铝层和(M+1)个未掺杂的氮化镓层，M个所述氮化钪铝层和(M+1)个所述氮化镓层交替层叠设置，M为正整数。