[发明专利]一种磁控溅射阴极磁场布置结构及用于制备纳米碳薄膜的方法在审
| 申请号： | 201810828325.7 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN108559964A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 唐诗琪;高凯雄;张斌;刘睿峰;唐迎春 | 申请（专利权）人： | 衡阳舜达精工科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 421000 湖南省衡*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开的磁控溅射阴极磁场布置结构，包括至少一磁控溅射阴极基本磁场阵列，所述磁控溅射阴极基本磁场阵列包括产生中心磁场的中心磁铁和产生外围磁场的外围磁铁，所述外围磁铁围绕在中心磁铁的外围，所述中心磁铁和外围磁铁均固定在上磁轭、下磁轭上且中心磁场和外围磁场均垂直于上磁轭、下磁轭，所述中心磁场方向与所述外围磁场方向相反，构成闭合场并在闭合磁场间形成跑道。本发明的磁控溅射阴极磁场布置结构的设计可以无限制的加宽磁控溅射阴极，而端头不均匀区域只取决于形成磁场跑道基本单元的端头非均匀区域。本发明还公开了利用上述磁控溅射阴极磁场布置结构来制备纳米结构碳薄膜的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射阴极 磁场 布置结构 外围磁铁 中心磁场 中心磁铁 外围 基本磁场 上磁轭 下磁轭 端头 制备 跑道 非均匀区域 纳米碳薄膜 闭合磁场 磁场方向 基本单元 纳米结构 闭合场 不均匀 碳薄膜 加宽 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种磁控溅射阴极磁场布置结构，其特征在于，包括至少一磁控溅射阴极基本磁场阵列，所述磁控溅射阴极基本磁场阵列包括产生中心磁场的中心磁铁和产生外围磁场的外围磁铁，所述外围磁铁围绕在中心磁铁的外围，所述中心磁铁和外围磁铁均固定在上磁轭、下磁轭上且中心磁场和外围磁场均垂直于上磁轭、下磁轭，所述中心磁场方向与所述外围磁场方向相反，构成闭合场并在闭合磁场间形成跑道。
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