[发明专利]一种碳薄膜低温可控沉积方法及装置在审
| 申请号： | 201810828339.9 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN108570642A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 唐诗琪;高凯雄;张斌;唐迎春;刘睿峰 | 申请（专利权）人： | 衡阳舜达精工科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/14;C23C14/35;C23C16/27 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 421000 湖南省衡*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种碳薄膜低温可控沉积方法，包括如下步骤：(1)抽真空步骤；(2)清洗步骤；(3)高功率脉冲磁控溅射柱靶沉积结合层步骤；(4)高功率脉冲磁控溅射+直流磁控溅射沉积氮化物承载层步骤；(5)中频磁控溅射辅助化学气相沉积步骤。本发明还公开了实现该碳薄膜低温可控沉积方法的装置。本发明提供的方法可以有效提高镀膜速率、降低沉积温度、抑制热量积累、实现批量镀膜条件下的低温(130℃)沉积，有利于在轴承钢表面制备把薄膜过程中保持其机械性能不损失。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 碳薄膜 可控 高功率脉冲 磁控溅射 机械性能 沉积方法及装置 直流磁控溅射 中频磁控溅射 沉积氮化物 薄膜过程 表面制备 镀膜条件 辅助化学 气相沉积 热量积累 承载层 抽真空 结合层 轴承钢 镀膜 柱靶 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种碳薄膜低温可控沉积方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)抽真空步骤；(2)清洗步骤；(3)高功率脉冲磁控溅射柱靶沉积结合层步骤；(4)高功率脉冲磁控溅射+直流磁控溅射沉积氮化物承载层步骤；(5)中频磁控溅射辅助化学气相沉积步骤。
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