[发明专利]啁啾采样光栅量子级联激光器在审
| 申请号： | 201810828398.6 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN108963757A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 贾雪峰;王利军;顾增辉;卓宁;张锦川;刘俊岐;刘峰奇;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宇园 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种啁啾采样光栅量子级联激光器，属于半导体光电器件技术领域。该啁啾采样量子级联激光器包括：衬底，下波导层，下限制层，有源层，上限制层，啁啾采样光栅，上波导层，高掺接触层。其中，在所述上限制层的上表面具有啁啾采样光栅。与传统均匀采样光栅相比，本发明啁啾采样光栅光场功率效率提高，减小了空间烧孔效应，增加了模式的稳定性；与非对称的光栅π相移技术相比，降低了制备难度和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 采样光栅 量子级联激光器 光栅 上限制层 半导体光电器件 功率效率 均匀采样 上波导层 下波导层 下限制层 接触层 上表面 采样 衬底 光场 减小 烧孔 相移 与非 源层 制备 对称 | ||
【主权项】：
1.一种啁啾采样光栅量子级联激光器，其特征在于，包括衬底，以及在该衬底(1)上依次生长的外延层，所述外延层包括上限制层(5)；其中，在所述上限制层(5)的上表面具有啁啾采样光栅(6)，该啁啾采样光栅包括啁啾区和采样光栅。
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