[发明专利]应用于压接型MOSFET的栅极结构在审
| 申请号： | 201810829499.5 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110767638A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 陈政宇;曾嵘;赵彪;余占清;刘佳鹏;周文鹏 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/48 |
| 代理公司： | 11594 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王冲;吴鑫 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种应用于压接型MOSFET的栅极结构，包括第一铜块，压接型MOSFET，栅极连接件，接收外部栅极控制信号的连接接口，第二铜块，与所述压接型MOSFET栅极接触的棒状金属，用于所述棒状金属与所述栅极连接件连接的弹性结构，所述栅极连接件与所述第二铜块之间的绝缘介质。使用对MOSFET散热路径无阻隔作用的上述栅极结构，能够提升散热能力，同时简化压装结构。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极连接 铜块 压接 棒状金属 栅极结构 栅极控制信号 弹性结构 绝缘介质 连接接口 散热路径 散热能力 压装结构 栅极接触 阻隔 外部 应用 | ||
【主权项】：
1.一种应用于压接型MOSFET的栅极结构，其特征在于：包括第一铜块，压接型MOSFET，栅极连接件，接收外部栅极控制信号的连接接口，第二铜块，弹性结构，与所述压接型MOSFET栅极接触的棒状金属，所述栅极连接件与所述第二铜块之间的绝缘介质；/n其中，所述压接型MOSFET的源极与所述第二铜块的凸起部分连接；/n所述栅极连接件置于所述第二铜块的凹槽内，并通过所述绝缘介质与所述第二铜块电气绝缘和固定；/n所述栅极连接件与所述压接型MOSFET的栅极通过所述弹性结构和所述棒状金属连接；/n所述栅极连接件与所述连接接口相连，所述连接接口接收外部栅极控制信号。/n
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