[发明专利]背照式图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201810830172.X | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109037255A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 黄晓橹;滕支刚;陈世杰;大石周 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 吴靖靓 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种背照式图像传感器及其形成方法。所述背照式图像传感器的形成方法包括：提供半导体衬底；刻蚀所述半导体衬底的正面，在所述半导体衬底内形成深沟槽；向所述深沟槽内填充硼硅玻璃；刻蚀所述半导体衬底的正面和所述硼硅玻璃，在所述半导体衬底内形成浅沟槽；向所述浅沟槽内填充绝缘材料；在所述半导体衬底的正面形成器件结构，在所述深沟槽的表面形成硼扩散层；减薄所述半导体衬底的背面至露出所述硼硅玻璃；去除所述深沟槽内的硼硅玻璃；在所述半导体衬底的背面形成介质层，所述介质层填充所述深沟槽；在所述半导体衬底背面的介质层上形成滤色层和微透镜。本发明可以减小背照式图像传感器的串扰和暗电流。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 深沟槽 背照式图像传感器 硼硅玻璃 介质层 浅沟槽 刻蚀 填充 背面 填充绝缘材料 表面形成 硼扩散层 器件结构 暗电流 滤色层 微透镜 串扰 减薄 减小 去除 | ||
【主权项】：
1.一种背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有正面和背面；刻蚀所述半导体衬底的正面，在所述半导体衬底内形成深沟槽；向所述深沟槽内填充硼硅玻璃；刻蚀所述半导体衬底的正面和所述硼硅玻璃，在所述半导体衬底内形成浅沟槽；向所述浅沟槽内填充绝缘材料；在所述半导体衬底的正面形成器件结构，在所述深沟槽的表面形成硼扩散层；减薄所述半导体衬底的背面至露出所述硼硅玻璃；去除所述深沟槽内的硼硅玻璃；在所述半导体衬底的背面形成介质层，所述介质层填充所述深沟槽；在所述半导体衬底背面的介质层上形成滤色层和微透镜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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