[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法在审
| 申请号： | 201810831578.X | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109216514A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;郭炳磊;王群;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/20;H01L33/26;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、三维成核层、二维恢复层、本征氮化镓层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，缓冲层、三维成核层、二维恢复层、本征氮化镓层、N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上，三维成核层包括至少一个叠层结构，叠层结构包括氮化镓层和设置在氮化镓层上的氮化钪铝层。本发明通过采用氮化钪铝层和氮化镓层一起形成三维成核层，氮化钪铝层和氮化镓层配合，可以有效缓解蓝宝石和氮化镓之间晶格失配产生的应力和缺陷，大大优化外延片底层的晶体质量，进而提高有源层的晶体质量，有利于电子和空穴进行复合发光，提高LED的内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 三维成核层 氮化镓层 外延片 氮化 铝层 源层 氮化镓基发光二极管 本征氮化镓层 叠层结构 缓冲层 恢复层 衬底 二维 半导体技术领域 空穴 内量子效率 复合发光 晶格失配 依次层叠 有效缓解 蓝宝石 氮化镓 制作 配合 优化 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、三维成核层、二维恢复层、本征氮化镓层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述三维成核层、所述二维恢复层、所述本征氮化镓层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述三维成核层包括至少一个叠层结构，所述叠层结构包括氮化镓层和设置在所述氮化镓层上的氮化钪铝层。
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