[发明专利]一种倒装LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201810831587.9 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109216515A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 张威;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/60;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒装LED芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、透明导电薄膜、反光层、P型电极、N型电极、钝化层、P型焊盘、N型焊盘和防顶针层；P型焊盘设置在P型电极和P型电极所在区域周围的钝化层上，N型焊盘设置在N型电极和N型电极所在区域周围的钝化层上；防顶针层设置在P型焊盘和N型焊盘之间的钝化层上；防顶针层采用金属材料形成，防顶针层间隔设置在P型焊盘和N型焊盘之间。本发明通过采用金属材料形成防顶针层，金属材料具有良好的延展性，防顶针层可以有效释放金属顶针的作用力，对芯片工艺层形成很好的保护，有效避免金属顶针破坏芯片工艺层。 | ||
| 搜索关键词： | 顶针 钝化层 倒装LED芯片 金属材料 金属顶针 所在区域 芯片工艺 半导体技术领域 透明导电薄膜 延展性 有效释放 层间隔 反光层 衬底 源层 制作 | ||
【主权项】：
1.一种倒装LED芯片，所述倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、透明导电薄膜、反光层、P型电极、N型电极、钝化层、P型焊盘、N型焊盘和防顶针层；所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽；所述透明导电薄膜和所述反光层依次铺设在所述P型半导体层上，所述透明导电薄膜和所述反光层中设有延伸到所述P型半导体层的通孔；所述P型电极设置在所述反光层上并通过所述通孔延伸到所述P型半导体层上，所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上；所述钝化层设置在所述反光层除所述P型电极所在区域之外的区域上、以及所述N型半导体层上除所述N型电极所在区域之外的区域上；所述P型焊盘设置在所述P型电极和所述P型电极所在区域周围的钝化层上，所述N型焊盘设置在所述N型电极和所述N型电极所在区域周围的钝化层上；所述防顶针层设置在所述P型焊盘和所述N型焊盘之间的钝化层上；其特征在于，所述防顶针层采用金属材料形成，所述防顶针层间隔设置在所述P型焊盘和所述N型焊盘之间。
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