[发明专利]真空键合装置有效
申请号: | 201810831878.8 | 申请日: | 2018-07-26 |
公开(公告)号: | CN109065476B | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 宋晨光;王建平;方家恩;吴国庆;朱维南;张旭东;刘泽伟;蒋凡 | 申请(专利权)人: | 苏州锐杰微科技集团有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 苏州闽福专利代理事务所(普通合伙) 32656 | 代理人: | 李聪 |
地址: | 215129 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供真空键合装置,包括真空腔室、滑动设置于真空腔室内的键合压盘及固定设置于真空腔室内并位于键合压盘滑动线程内的键合托盘;真空腔室至少包括位于键合压盘一侧第一腔室、位于键合压盘另一侧的第二腔室;真空腔室还配置有用于调节第一腔室与第二腔室相对气压的泵体。本发明提供真空键合装置,通过调节第一腔室和第二腔室的压强差,施加键合压力于待键合芯片,具有精确可控的特点,实现各种微电子器件的圆片级或芯片级真空封装。 | ||
搜索关键词: | 真空 装置 | ||
【主权项】:
1.真空键合装置,其特征在于:包括真空腔室(1)、滑动设置于所述真空腔室(1)内的键合压盘(2)及固定设置于所述真空腔室(1)内并位于所述键合压盘(2)滑动线程内的键合托盘(3);所述真空腔室(1)包括位于所述键合压盘(2)一侧第一腔室(11)、位于所述键合压盘(2)另一侧的第二腔室(12);所述真空腔室(1)还配置有用于调节第一腔室(11)与第二腔室(12)相对气压的泵体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州锐杰微科技集团有限公司,未经苏州锐杰微科技集团有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810831878.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:晶圆清洗装置及其晶圆清洗方法
- 下一篇:晶圆键合装置、晶圆键合过程的检测方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造