[发明专利]一种超宽温度稳定性的介电陶瓷材料及其制备方法在审
申请号: | 201810832257.1 | 申请日: | 2018-07-26 |
公开(公告)号: | CN108863348A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 蒲永平;李欣;张磊;彭鑫 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/622;H01G4/12;H01G4/30 |
代理公司: | 西安西达专利代理有限责任公司 61202 | 代理人: | 刘华 |
地址: | 710021 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明提供了一种超宽温度稳定性的介电陶瓷材料,由基质组分和掺杂组分组成,基质组分包括BaTiO3、BaFe0.5Nb0.5O3、及Bi0.5Na0.5TiO3,掺杂组分为BiMg2/3Nb1/3O3。化学表达式为(1‑x)(0.94BaFe0.05Nb0.05Ti0.9O3‑0.06Bi0.5Na0.5TiO3)‑xBiMg2/3Nb1/3O3,x=0.05~0.2。本发明还提供了这种超宽温度稳定性的介电陶瓷材料的制备方法。本发明制备工艺简单,材料成本低,而且制得的陶瓷具有超宽的温度稳定性,有望成为多层陶瓷电容器在技术和经济上兼优的重要候选材料。 | ||
搜索关键词: | 温度稳定性 超宽 介电陶瓷材料 基质 制备 掺杂 多层陶瓷电容器 发明制备工艺 化学表达式 材料成本 候选材料 陶瓷 | ||
【主权项】:
1.一种超宽温度稳定性的介电陶瓷材料,其特征在于:由基质组分和掺杂组分组成,基质组分包括BaTiO3、BaFe0.5Nb0.5O3、及Bi0.5Na0.5TiO3,掺杂组分为BiMg2/3Nb1/3O3。
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