[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 201810832375.2 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110299158A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 中泽新悟;宫崎隆行 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06;G11C7/12;G11C7/18 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式提供一种高品质的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备存储单元及向所述存储单元输入数据或从所述存储单元读取数据的控制部，所述存储单元包含：电阻变化部，电阻因热而变化，并通过所述电阻存储数据；以及第1及第2选择器，与所述电阻变化部串联连接，且特性互不相同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体存储装置 存储单元 电阻变化部 电阻 存储单元读取 存储数据 高品质 选择器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，具备：存储单元；以及控制部，向所述存储单元写入数据或从所述存储单元读取数据；且所述存储单元包含：电阻变化部，电阻因热而变化，并通过所述电阻存储数据；以及第1及第2选择器，与所述电阻变化部串联连接，且特性互不不同。
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