[发明专利]硅纳米线及其制备方法、硅纳米线的图形化制备方法在审
| 申请号： | 201810832593.6 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN108996471A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 檀满林;田勇;张维丽 | 申请（专利权）人： | 深圳清华大学研究院 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00;C01B33/021 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 曾昭毅;郑海威 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅纳米线的制备方法，包括以下步骤：(1)提供单晶硅片，将单晶硅片浸泡于HF溶液中进行氢钝化处理；(2)将经过步骤(1)处理后的单晶硅片浸泡于银沉积液中，使得单晶硅片的表面镀上银纳米颗粒层，所述银沉积液包括0.005～0.02mol/L的AgNO3和1.2～9.6mol/L的HF，银沉积时间为15～120S；(3)将经过步骤(2)处理后的单晶硅片浸泡于蚀刻液中进行蚀刻处理，得到硅纳米线。其中，所述蚀刻液包括0.2～0.4mol/L的H2O2和2.4～9.6mol/L的HF或者0.07～0.42mol/L的Fe(NO3)3和2.4～9.6mol/L的HF，蚀刻时间为15～120min。该制备方法在常温常压下即可实现硅纳米线的制备，操作过程简单，并在此基础上对硅片表面进行图形化处理，实现了硅纳米线在指定位置生长。 | ||
| 搜索关键词： | 硅纳米线 单晶硅片 制备 浸泡 银沉积液 蚀刻液 蚀刻 银纳米颗粒层 氢钝化处理 图形化处理 操作过程 常温常压 硅片表面 蚀刻处理 表面镀 图形化 银沉积 生长 | ||
【主权项】：
1.一种硅纳米线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供单晶硅片，将单晶硅片浸泡于HF溶液中进行氢钝化处理；(2)将经过步骤(1)处理后的单晶硅片浸泡于银沉积液中，使得单晶硅片的表面镀上银纳米颗粒层，所述银沉积液包括0.005～0.02mol/L的AgNO3和1.2～9.6mol/L的HF，银沉积时间为15～120S；(3)将经过步骤(2)处理后的单晶硅片浸泡于蚀刻液中进行蚀刻处理，得到硅纳米线，其中，所述蚀刻液包括0.2～0.4mol/L的H2O2和2.4～9.6mol/L的HF或者0.07～0.42mol/L的Fe(NO3)3和2.4～9.6mol/L的HF，蚀刻时间为15～120min。
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