[发明专利]背照式图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201810832665.7 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109037256A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 黄增智;李天慧;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种背照式图像传感器，包括：衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述衬底包括像素区和隔离区，所述隔离区与所述像素区相邻，且所述隔离区围绕所述像素区；位于所述衬底隔离区内的隔离凹槽，所述隔离凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽顶部位于第一表面，所述第一凹槽底部与第二凹槽顶部相通，且在平行于衬底表面方向上，所述第一凹槽尺寸大于所述第二凹槽尺寸；位于隔离凹槽内的隔离层。所述背照式图像传感器的性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 背照式图像传感器 隔离凹槽 隔离区 像素区 凹槽顶部 第一表面 衬底表面方向 第二表面 隔离层 平行 相通 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述衬底包括像素区和隔离区，所述隔离区与所述像素区相邻，且所述隔离区围绕所述像素区；位于所述衬底隔离区内的隔离凹槽，所述隔离凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽顶部位于第一表面，所述第一凹槽底部与第二凹槽顶部相通，且在平行于衬底表面方向上，所述第一凹槽尺寸大于所述第二凹槽尺寸；位于隔离凹槽内的隔离层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810832665.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：背照式图像传感器及其形成方法
- 下一篇：图像传感器及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
