[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201810832739.7 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109755214A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 韩正勋;金成珍;卢晙镛;林宪俊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：具有芯片区域和边缘区域的半导体基板；在半导体基板上的下电介质层；在芯片区域的下电介质层上的芯片焊盘；在下电介质层上的上电介质层，上电介质层包括暴露芯片区域上的芯片焊盘的第一开口和暴露边缘区域上的下电介质层的第二开口；以及连接到芯片焊盘的再分布焊盘。再分布焊盘包括在第一开口中的通路部分和从通路部分延伸到上电介质层上的焊盘部分。 | ||
| 搜索关键词： | 上电介质层 下电介质层 芯片焊盘 芯片区域 焊盘 半导体基板 半导体器件 开口 再分布 暴露边缘区域 边缘区域 电介质层 暴露 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：包含芯片区域和边缘区域的半导体基板；在所述半导体基板上的下电介质层；在所述芯片区域的所述下电介质层上的芯片焊盘；在所述下电介质层上的上电介质层，所述上电介质层包括暴露所述芯片区域上的所述芯片焊盘的第一开口和暴露所述边缘区域上的所述下电介质层的第二开口；以及连接到所述芯片焊盘的再分布焊盘，所述再分布焊盘包括在所述第一开口中的通路部分和从所述通路部分延伸到所述上电介质层上的焊盘部分。
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