[发明专利]隔离结构及工艺方法有效
| 申请号： | 201810832763.0 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109119458B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 许昭昭 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种隔离结构，在P型衬底上具有P型外延，在P型外延中，形成有环形的N型深阱，以及位于环形中心区域的P阱；环形的N型深阱与P阱之间间隔外延层；所述的环形的N型深阱的下方还具有N型埋层，P阱的下方具有P型埋层；N型深阱中还包含有环形的N阱；在P型外延的表面具有场氧层，在场氧层中开有窗口，分别将N阱，以及P阱引出；所述的P型埋层，其正下方的衬底中还具有N型注入区，P型埋层和N型注入区两者互不接触。本发明在P型埋层的正下方形成N型注入区。N型掺杂改变了P型埋层下方的电势分布，拓宽了耗尽区的宽度，从而提高了该隔离结构的击穿电压。本发明工艺方法只调整了注入，无需增加额外的工艺步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 结构 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种隔离结构，在P型衬底上具有P型外延，在P型外延中，形成有环形的N型深阱，以及位于环形中心区域的P阱；环形的N型深阱与P阱之间间隔外延层；所述的环形的N型深阱的下方还具有N型埋层，P阱的下方还具有P型埋层；所述的环形的N型深阱中，还包含有环形的N阱；在P型外延的表面具有场氧层，在场氧层中开有窗口，分别将N阱，以及P阱引出；其特征在于：所述的P型埋层，其正下方的衬底中还具有N型注入区，P型埋层和N型注入区两者互不接触。
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