[发明专利]三维存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810833946.4 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109037318B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 夏季;方原;陶谦;胡禺石;戴晓望;孙坚华 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L27/115;H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种三维存储器件及其制造方法。该三维存储器件包括：堆叠在衬底上的多个栅极层，多个栅极层划分为沿第一方向依次设置的第一连接区域、核心区域和第二连接区域；以及栅极隔槽，包括：第一子栅极隔槽，在第一连接区域、核心区域或第二连接区域中的至少一者沿第一方向延伸；以及第二子栅极隔槽，在核心区域与第一连接区域的交界处和/或核心区域与第二连接区域的交界处沿第二方向延伸，并且与第一子栅极隔槽连接，第二方向与第一方向垂直。本发明的三维存储器件能够充分利用了片存储区两侧的连接区域。 | ||
| 搜索关键词： | 连接区域 三维存储器件 核心区域 隔槽 子栅极 方向延伸 交界处 栅极层 方向垂直 依次设置 衬底 堆叠 制造 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器件，包括：/n堆叠在衬底上的多个栅极层，所述多个栅极层划分为沿第一方向依次设置的第一连接区域、核心区域和第二连接区域；以及/n栅极隔槽，包括：/n第一子栅极隔槽，在所述第一连接区域、所述核心区域或所述第二连接区域中的至少一者沿所述第一方向延伸；以及/n第二子栅极隔槽，在所述核心区域与所述第一连接区域的交界处和/或所述核心区域与所述第二连接区域的交界处沿第二方向延伸，并且与所述第一子栅极隔槽连接，所述第二方向与所述第一方向垂直；/n所述多个栅极层包括：/n至少一个第一栅极堆，包括堆叠在所述核心区域上并延伸至所述第一连接区域的多个栅极；以及/n至少一个第二栅极堆，包括堆叠在所述核心区域上并延伸至所述第二连接区域的多个栅极，所述至少一个第二栅极堆与所述至少一个第一栅极堆在第二方向上交替排列；/n其中，所述栅极隔槽形成于相邻的第一栅极堆和第二栅极堆之间。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810833946.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：铁电存储器件
- 下一篇：基于准范德华接触结构的二维半导体器件及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
