[发明专利]一种激光二极管制备方法有效
| 申请号： | 201810834004.8 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110768106B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 陈康;苏建;任夫洋;王金翠;刘青;郑兆河 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/32 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种激光二极管制备方法，包括步骤如下：(1)在衬底上自下而上依次生长缓冲层、N限制层、N波导层、有源区、P限制层、P波导层、接触层；(2)蚀刻P波导层、接触层，在P限制层上形成脊条；(3)在P限制层上及所述脊条的两侧面生长绝缘层；(4)在绝缘层上生长正电极金属，使正电极金属覆盖脊条的顶面；(5)将步骤(4)生长的外延片倒立，将正电极金属与支持衬底键合；(6)减薄衬底；(7)光刻深沟，形成正电极通道和解理槽区域；(8)蒸镀金属，制备电极图形，采用金属剥离工艺制备，同时形成正电极和负电极。通过上述制备，本发明增加了用于散热和支持用的支持衬底，同时正负电极一次成型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光二极管制备方法，其特征在于，包括步骤如下：/n(1)在衬底上自下而上依次生长缓冲层、N限制层、N波导层、有源区、P限制层、P波导层、接触层；/n(2)蚀刻所述P波导层、所述接触层，在所述P限制层上形成脊条；/n(3)在所述P限制层上及所述脊条的两侧面生长绝缘层；/n(4)在绝缘层上生长正电极金属，使所述正电极金属覆盖所述脊条的顶面；/n(5)将步骤(4)生长的外延片倒立，将所述正电极金属与支持衬底键合；/n(6)减薄所述衬底，所述衬底的非焊线区域减薄至0-20μm，所述衬底的焊线区域减薄至80-300μm；/n(7)光刻深沟，形成正电极通道和解理槽区域，并对深沟进行绝缘介质回填，使解理槽区域深度到衬底，使正电极通道深度到所述正电极金属；/n(8)蒸镀金属，制备电极图形，采用金属剥离工艺制备，同时形成正电极和负电极。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东华光光电子股份有限公司，未经山东华光光电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810834004.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
