[发明专利]二极管器件及其制造方法、二极管装置有效
| 申请号： | 201810834224.0 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN108987601B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 常帅;钟海政;韩登宝 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56;H01L51/42 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 姜春咸;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种二极管器件，所述二极管器件包括层叠设置的第一电极、空穴传输层、发光功能层、电子传输层和第二电极，所述发光功能层包括至少一个发光功能子层，每个所述发光功能子层都包括层叠设置的光探测层和电致发光层，所述光探测层与所述电致发光层的能级势垒之差不超过1.5eV，制造所述光探测层的材料包括铜铟硫体系化合物制造的量子点材料或铜铟硫体系化合物制造的纳米晶材料；制造所述电致发光层的材料包括油溶性量子点材料。本发明还提供了一种二极管器件的制造方法以及一种二极管装置，所述二极管器件兼具电致发光性能和光电响应性能，具有更高的材料普适性。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 器件 及其 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种二极管器件，所述二极管器件包括层叠设置的第一电极、空穴传输层、发光功能层、电子传输层和第二电极，其特征在于，所述发光功能层包括至少一个发光功能子层，每个所述发光功能子层都包括层叠设置的光探测层和电致发光层，所述光探测层与所述电致发光层的能级势垒之差不超过1.5eV，制造所述光探测层的材料包括铜铟硫体系化合物制造的量子点材料或铜铟硫体系化合物制造的纳米晶材料；制造所述电致发光层的材料包括油溶性量子点材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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