[发明专利]用于提供一偏置电流至一射频功率放大器的一偏置电路在审
| 申请号： | 201810834350.6 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109327196A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 吴志文 | 申请（专利权）人： | 宏观微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30;H03F1/32;H03F3/19;H03F3/21 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨;侯奇慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于提供一偏置电流至一射频功率放大器的偏置电路和一种用于放大在一行动装置中接收的一射频信号的电路，偏置电路使用耦合在一双极晶体管的基极端子与用于产生一偏置电流至一射频功率放大器的一电压源之间的多个电压基准电路以提供一偏置电流至该射频功率放大器，所述多个电压基准电路中的每一电压基准电路分别具有一箝位在一基准电压的节点，该节点耦合至从所述电压源至所述双极晶体管的基极端子的一导电路径，当从所述电压源流出的电流增加时，流过该多个电压基准电路中的每一个电压基准电路的电流也会增加，使得与流出所述电压源的电流的变化范围相比，流入所述双极晶体管的基极端子的电流的变化范围将保持在一较小的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 电压基准电路 射频功率放大器 电压源 双极晶体管 基极端子 偏置电路 电路 流出 导电路径 电流增加 基准电压 节点耦合 射频信号 行动装置 耦合 箝位 放大 | ||
【主权项】：
1.一种用于提供一偏置电流至一射频功率放大器的偏置电路，其特征在于，所述偏置电路包含：一第一双极晶体管，其具有一基极端子、一集极端子和一射极端子，其中该射极端子电性耦合至所述射频功率放大器；一第一电压基准电路，用于将所述第一电压基准电路的一第一端子箝位在一第一基准电压，其中所述第一电压基准电路的该第一端子通过一第一电阻性元件电性耦合至所述第一双极晶体管的该基极端子，且所述第一电压基准电路的一第二端子电性耦合至一接地；以及一第二电压基准电路，用于将所述第二电压基准电路的一第一端子箝位在一第二基准电压，其中所述第二基准电压电路的第一端子通过一第二电阻性元件电性耦合至所述第一电压基准电路的第一端子，且所述第二电压基准电路的一第二端子电性耦合至接地；其中，所述第二电压基准电路的第一端子通过一第三电阻性元件电性耦合至一电压源，以产生通过所述第一双极晶体管的射极端子至所述射频功率放大器的一偏置电流。
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