[发明专利]一种用于检测中子单色器镶嵌角分布的测试方法及装置有效
申请号: | 201810835456.8 | 申请日: | 2018-07-26 |
公开(公告)号: | CN109212585B | 公开(公告)日: | 2023-09-01 |
发明(设计)人: | 高建波;张书彦;詹霞;洪茜;贡志锋;刘川凤 | 申请(专利权)人: | 东莞材料基因高等理工研究院 |
主分类号: | G01T3/00 | 分类号: | G01T3/00 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 汤喜友;李悦 |
地址: | 523808 广东省东莞市松山湖*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供的一种用于检测中子单色器镶嵌角分布的测试方法,包括对中子束的中子光路进行初步标定,此时,中子单色器接收中子束的衍射面为最大强度衍射面;调节中子单色器的衍射角偏离最大强度衍射面的偏离角度,收集探测器在不同偏离角度获取的中子强度测量数据,将测量数据进行高斯拟合得到测量数据的曲线半高宽;根据曲线半高宽、第一准直器的第一准直角以及第二准直器的第二准直角计算得到中子单色器镶嵌角分布半高宽。本发明的一种用于检测中子单色器镶嵌角分布的测试方法,整个过程中利用中子束来测量中子单色器的镶嵌角分布,整个测量过程简单便捷,不再受极小发散度的射线源束流及相应调试精度要求较高的局限。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 检测 中子 单色 镶嵌 角分布 测试 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于检测中子单色器镶嵌角分布的测试方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤S1、控制中子源开启中子束,所述中子束依次穿过中子狭缝、第一准直器、中子单色器、第二准直器并抵达探测器,探测器采集到中子束的测量中子强度;步骤S2、对中子束的中子光路进行初步标定,此时,中子单色器接收中子束的衍射面为最大强度衍射面;步骤S3、调节中子单色器的衍射角偏离所述最大强度衍射面的偏离角度,根据每个所述偏离角度改变所述中子单色器的位置并执行步骤S1,得到含有若干所述偏离角度和探测器采集每个偏离角度对应的所述测量中子强度的测量数据;步骤S4、将所述测量数据进行高斯拟合得到所述测量数据的曲线半高宽;步骤S5、根据所述曲线半高宽、第一准直器的第一准直角以及第二准直器的第二准直角计算得到中子单色器镶嵌角分布半高宽。
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