[发明专利]坩埚涂层及其喷涂方法在审
| 申请号： | 201810835865.8 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109078820A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 丁云飞;杨俊;严军辉;肖贵云;张涛;邓清香;金浩 | 申请（专利权）人： | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | B05D5/08 | 分类号： | B05D5/08;B05D7/00;B05D7/24;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 何世磊 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种坩埚涂层及其喷涂方法，该坩埚涂层包括：涂覆于所述坩埚内壁上的第一涂层和涂覆于所述第二涂层上的第二涂层，其中，所述第一涂层的原料包括氮化硅、水、硅溶胶和分散剂，其质量配比为3～8:3～8:1～3:0.05～0.15；所述第二涂层的原料包括氮化硅、水和分散剂，其质量配比为3～8:3～8:0.05～0.15。本发明实施例中的坩埚可降低涂层被侵蚀概率，降低粘锅，同时也相应减少由涂层扩散至硅锭中的氧杂质含量，提高硅锭的成产质量。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚涂层 质量配比 氮化硅 分散剂 喷涂 硅锭 涂覆 涂层扩散 坩埚内壁 硅溶胶 氧杂质 粘锅 坩埚 侵蚀 概率 | ||
【主权项】：
1.一种坩埚涂层，其特征在于，包括：涂覆于所述坩埚内壁上的第一涂层和涂覆于所述第二涂层上的第二涂层，其中，所述第一涂层的原料包括氮化硅、水、硅溶胶和分散剂，其质量配比为3～8:3～8:1～3:0.05～0.15；所述第二涂层的原料包括氮化硅、水和分散剂，其质量配比为3～8:3～8:0.05～0.15。
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