[发明专利]版图结构以及半导体集成电路器件的形成方法

摘要

本发明提供了一种版图结构以及半导体集成电路器件的形成方法。由于掩膜图案具有多个截断图形区，多个截断图形区靠近设置在遮盖图形区的边界上，从而在利用掩膜图案将第一特征图案界定为第二特征图案时，即可使所界定出的第二特征图案具有邻近截断图形区的边缘部分，并且该边缘部分在面对截断图形区的一侧与邻近的第二特征图案中的其他部分之间存在较大的空白区域。如此一来，在第二特征图案的边缘部分上定义出节点区时，即相应地为节点区预留出更大的空间区域，有效降低了后续在该节点区上所执行的相应工艺的制备难度并可增加相关工艺的制程窗口。

主权项

1.一种版图结构，其特征在于，包括：/n第一特征图案，所述第一特征图案包括至少一个第一子图案；以及，/n掩膜图案，设置在所述第一特征图案的上方，所述掩膜图案具有遮盖图形区和多个截断图形区，所述遮盖图形区在第二方向上具有两个相对的第一边界和第二边界，所述第一边界和所述第二边界均沿着第一方向延伸；以及，多个所述截断图形区分别设置在靠近所述第一边界和所述第二边界的区域中；/n其中，所述掩膜图案的所述遮盖图形区遮盖所述第一特征图案的所述第一子图案，并使每一所述第一子图案部分暴露于所述截断图形区，所述第一子图案中暴露于所述截断图形区的部位相对于所述第一子图案的中心线呈偏移配置，并将所述第一子图案中被遮盖的部分界定为多个分断的第二子图案，多个所述第二子图案构成一第二特征图案，并且在所述第二特征图案的多个第二子图案相对于邻近第二子图案的多个突出段中定义有多个第一节点区和第二节点区，所述第一节点区和所述第二节点区分别靠近所述遮盖图形区的所述第一边界和所述第二边界，以使所述第一节点区和所述第二节点区邻近所述截断图形区。/n