[发明专利]太赫兹波探测器有效
申请号: | 201810837978.1 | 申请日: | 2017-06-26 |
公开(公告)号: | CN109004060B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 孙云飞;班建民;罗恒;田学农 | 申请(专利权)人: | 苏州科技大学 |
主分类号: | H01L31/113 | 分类号: | H01L31/113;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙周强;陶海锋 |
地址: | 215011 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于探测器技术领域,具体涉及一种太赫兹波探测器,以六氯铱酸铵、二辛基锡、九水合硝酸铝、乙醇和丙酸、氢氧化钾甲醇溶液、过氧苯甲酸叔丁酯、乙酸锰、硝酸钴、三茂钐为原料制备支撑层前驱体;以氧化石墨烯、环氧树脂、单硬脂酸甘油酯与二苯基硅二醇、石蜡为原料制备隔离层前驱体;将纳米粉加入隔离层前驱体中,再加入碳纳米管,制备加强层前驱体;在耐热基底上依次涂覆隔离层前驱体、加强层前驱体、支撑层前驱体,得到衬底;在衬底上利用外延法制备铝镓氮/镓氮层;然后制备有源区台面、栅介质、欧姆接触窗口、电极,从而得到太赫兹波探测器,在室温条件下对THz波实现高速、高灵敏度、高信噪比探测。 | ||
搜索关键词: | 太赫兹波探测器 铝镓氮 镓氮 高电子迁移率场效应晶体管 探测 探测器技术领域 波谱探测装置 场效应晶体管 二维电子气 高灵敏度 欧姆接触 室温条件 太赫兹波 迁移率 栅介质 电极 台面 衬底 高信 源区 制备 | ||
【主权项】:
1.一种太赫兹波探测器,其特征在于,所述太赫兹波探测器的制备方法包括以下步骤:(1)在氮气保护下,混合六氯铱酸铵、二辛基锡、九水合硝酸铝、乙醇和丙酸;然后回流搅拌5分钟,然后加入氢氧化钾甲醇溶液与过氧苯甲酸叔丁酯;反应10分钟后自然冷却至室温,加入乙酸乙酯聚沉离心;将离心沉淀物水洗后分散于乙醇中得分散体系;然后加入乙酸锰、硝酸钴、水,搅拌10分钟加入三茂钐,搅拌1小时,得到支撑层前驱体;(2)在分散体系中加入聚乙烯醇、双氧水、四苯基卟啉铁,50℃搅拌1小时,然后加入4,4‑二氨苯基甲烷、正硅酸乙酯,回流搅拌10分钟,然后浓缩得到固含量80%的浓缩物;将浓缩物进行超重力处理;然后冷冻干燥,得到纳米粉;所述超重力处理的转速为35000~40000rpm;浓缩物的流量为80~90mL/min;(3)将氧化石墨烯、环氧树脂加入丙酮,回流搅拌20分钟后加入单硬脂酸甘油酯与二苯基硅二醇,继续搅拌10分钟,然后加入石蜡,搅拌30分钟,得到隔离层前驱体;(4)将纳米粉加入隔离层前驱体中,搅拌5分钟后加入碳纳米管,搅拌10分钟得到加强层前驱体;(5)在耐热基底上依次涂覆隔离层前驱体、加强层前驱体、支撑层前驱体,得到衬底;每次涂覆后室温干燥;(6)在衬底上利用外延法制备铝镓氮/镓氮层;然后制备有源区台面、栅介质、欧姆接触窗口、电极,从而得到太赫兹波探测器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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