[发明专利]基于超表面的单片集成面发射半导体激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201810838020.4 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN108988123B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 夏金松;崔成聪;曾成;袁帅 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01S5/18 | 分类号： | H01S5/18;H01S5/12 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于超表面微纳结构的单片集成面发射半导体激光器，将超表面微纳结构与半导体激光器有源介质相结合，当有源区有源物质发光时能够激发介质超表面内部谐振单元的集群性相干振荡，这种局域振荡具有高的光场束缚能力，能为有源层提供正反馈实现激射。同时通过对超表面微纳的结构进行优化设计，可以控制出射光束的远场分布特征，如方向角度、相位、偏振、模式等。该激光器结构包括衬底、低折射率层、有源层和超表面微纳结构，其制备方法包括光场限制层、增益介质及基于超表面结构的设计与制备。通过本发明能够将光场强烈局域在近场，通过结构单元的排布方式等调控其远场分布，并可以直接调控光场。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 表面 单片 集成 发射 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于超表面的单片集成面发射半导体激光器，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底上方的光场限制层、位于所述光场限制层上的有源层及与所述有源层结合的超表面微结构；其中，所述超表面微结构为亚波长周期性结构，所述超表面微结构上制备有若干个拼接的微纳图形阵列，每个所述微纳图形阵列为多个相同的微纳图形周期排布构成。
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