[发明专利]提高氮化膜刻蚀面内均匀性的方法有效
| 申请号： | 201810840339.0 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109037048B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 朱轶铮;陆连;李全波 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/311;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高氮化膜刻蚀面内均匀性的方法，包括步骤：步骤一、在由半导体衬底组成的晶圆表面形成氮化膜；步骤二、进行热处理对氮化膜进行改性，改性增加晶圆的边缘区域的氮化膜的刻蚀速率从而补偿干法刻蚀腔体对晶圆的边缘区域的刻蚀速率降低的影响并从而使刻蚀面内均匀性提升；步骤三、在干法刻蚀腔体对氮化膜进行干法刻蚀。本发明能氮化膜刻蚀面内均匀性，从而提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 氮化 刻蚀 均匀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高氮化膜刻蚀面内均匀性的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在由半导体衬底组成的晶圆表面形成氮化膜；步骤二、对所述氮化膜进行热处理，通过所述热处理对所述氮化膜进行改性，后续干法刻蚀中干法刻蚀腔体对所述晶圆的边缘区域具有温度控制极限，所述改性能增加所述晶圆的边缘区域的所述氮化膜的刻蚀速率从而补偿所述干法刻蚀腔体对所述晶圆的边缘区域的刻蚀速率降低的影响从而能使所述氮化膜的刻蚀速率的面内均匀性提升；步骤三、将所述晶圆放置到干法刻蚀腔体的静电吸盘上并对改性后的所述氮化膜进行干法刻蚀，通过步骤二的改性提升所述氮化膜的刻蚀速率的面内均匀性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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