[发明专利]晶圆转速的确定方法有效

专利信息
申请号: 201810840379.5 申请日: 2018-07-27
公开(公告)号: CN109065440B 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 卞玉洋;官锡俊;杨正凯 申请(专利权)人: 上海华力集成电路制造有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;H01L21/66
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 郭四华
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种晶圆转速的确定方法,涉及半导体集成电路制造技术,在不同的晶圆转速下进行光阻涂覆,选择晶圆上的多个量测点,并分别量测所述多个量测点在所述不同晶圆转速下的光阻厚度,得到在所述不同晶圆转速下所述多个量测点处的光阻厚度的实验数据,根据上述实验数据得到得到所述多个量测点处的光阻厚度与每一晶圆转速下光阻厚度最小值的差值与晶圆转速的变化曲线,进而建立光阻厚度与光阻厚度最小值的差值与晶圆转速的函数关系式,根据光阻厚度与光阻厚度最小值的差值与晶圆转速的函数关系式式及实际中对晶圆上光阻厚度的要求得到较佳的晶圆转速,不需要重复试验,节省光阻,缩短了喷涂程式指定的周期。
搜索关键词: 转速 确定 方法
【主权项】:
1.一种晶圆转速的确定方法,其特征在于,包括:S1:在不同的晶圆转速下进行光阻涂覆,选择晶圆上的多个量测点,并分别量测所述多个量测点在所述不同晶圆转速下的光阻厚度,得到在所述不同晶圆转速下所述多个量测点处的光阻厚度的实验数据;S2:根据上述实验数据得到每一晶圆转速下的光阻厚度最大值及光阻厚度最小值,进而得到光阻厚度最大值与光阻厚度最小值的差值最小的晶圆转速,及,每一晶圆转速下所述多个量测点处的光阻厚度与该晶圆转速下光阻厚度最小值的差值,进而得到所述多个量测点处的光阻厚度与每一晶圆转速下光阻厚度最小值的差值与晶圆转速的变化曲线;S3:根据所述多个量测点处的光阻厚度与每一晶圆转速下光阻厚度最小值的差值与晶圆转速的变化曲线得到所述多个量测点处的光阻厚度与光阻厚度最小值的差值与晶圆转速的函数关系式;S4:根据所述多个量测点处的光阻厚度与每一晶圆转速下光阻厚度最小值的差值与晶圆转速的变化曲线及光阻厚度最大值与光阻厚度最小值的差值最小的晶圆转速拟合得到所述多个量测点处的光阻厚度与光阻厚度最小值的差值与晶圆转速的函数关系式中的常数;以及S5:根据所述多个量测点处的光阻厚度与光阻厚度最小值的差值与晶圆转速的函数关系式及实际对晶圆光阻厚度的要求,计算得到晶圆的转速。
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