[发明专利]FDSOI工艺中混合外延硅的制造方法

摘要

本发明公开了一种FDSOI工艺中混合外延硅的制造方法，包括步骤：步骤一、提供一FDSOI衬底结构并形成硬掩模层；步骤二、光刻定义出混合外延硅的形成区域，将硬掩模层打开并依次对顶层硅和埋氧层进行刻蚀形成沟槽；步骤三、在沟槽的侧面形成介质层侧墙；步骤四、进行外延生长在沟槽中形成和体硅层相接触的混合外延硅。本发明能消除了从沟槽的侧面进行外延生长，使外延生长完全从沟槽的底部往上生长，能消除混合外延硅的耳朵状突起，提高混合外延硅的平坦性。

主权项

1.一种FDSOI工艺中混合外延硅的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一FDSOI衬底结构，所述FDSOI衬底包括体硅层，埋氧层和顶层硅，所述埋氧层形成于所述体硅层表面，所述顶层硅形成于所述埋氧层表面；在所述顶层硅表面形成硬掩模层；步骤二、光刻定义出混合外延硅的形成区域，将所述混合外延硅的形成区域的所述硬掩模层打开，以打开后的所述硬掩模层为掩模依次对所述顶层硅和所述埋氧层进行刻蚀形成沟槽，所述沟槽的底部将所述体硅层的表面暴露出来，所述沟槽的侧面将所述顶层硅的侧面暴露；步骤三、在所述沟槽的侧面形成介质层侧墙，所述介质层侧墙将所述沟槽侧面的所述顶层硅封闭，使所述沟槽内部仅将所述沟槽底部的所述体硅层表面暴露；步骤四、进行外延生长在所述沟槽中形成和所述体硅层相接触的混合外延硅，利用所述介质层侧墙将所述沟槽侧面的所述顶层硅封闭的特征，消除了从所述沟槽的侧面进行外延生长的情形，使所述外延生长完全从所述沟槽的底部往上生长，从而提高所述混合外延硅的表面平坦性。