[发明专利]热处理装置、热处理方法以及存储介质在审
申请号: | 201810841102.4 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN109309033A | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 福留生将;森泰夫 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供对于提高覆膜形成时的膜厚均匀性有效的热处理装置、热处理方法以及存储介质。热处理装置(20)具备:处理室(31),其收纳作为处理对象的晶圆(W);热处理部(50),其被设置在处理室内,用于支承并加热晶圆,具有至少在该晶圆的周向上排列的多个热处理区域(51);供气口(35),其向处理室内导入气体;排气口(34),其从处理室内排出气体;多个流速传感器(71),其在热处理部所支承的晶圆的周向排列,用于检测气流的流速;以及控制部(100),其基于与由多个流速传感器检测的气流的流速相应的温度分布来控制热处理部以对多个热处理区域的温度进行调节。 | ||
搜索关键词: | 晶圆 热处理装置 热处理部 流速传感器 热处理区域 热处理 存储介质 室内 支承 膜厚均匀性 收纳 处理对象 排出气体 温度分布 周向排列 供气口 排气口 检测 覆膜 加热 | ||
【主权项】:
1.一种热处理装置,具备:处理室,其收纳作为处理对象的基板;热处理部,其用于在所述处理室内支承所述基板并对所述基板进行加热或冷却,该热处理部具有在该基板的周向上排列的多个热处理区域;供气口,其向所述处理室内导入气体;排气口,其从所述处理室内排出气体;多个流速传感器,其在所述热处理部所支承的所述基板的周向上排列,来检测气流的流速;以及控制部,其基于与由所述多个流速传感器检测的气流的流速相应的温度分布来控制所述热处理部以对所述多个热处理区域的温度进行调节。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810841102.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基板处理方法以及基板处理装置
- 下一篇:用于化学和/或电解表面处理的分配系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造