[发明专利]单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法在审
| 申请号： | 201810841153.7 | 申请日： | 2013-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN108823636A | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 星亮二;菅原孝世 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/12;C30B15/14 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单晶硅生长装置，其是在加热用的石墨加热器的内侧配置石墨坩埚，在其内侧配置石英坩埚，并从石英坩埚内装满的原料熔融液中使结晶生长，基于切克劳斯基单晶生长法的单晶硅生长装置，在石墨加热器的外侧具有加热器外侧绝热部件，在石墨坩埚的下部具有坩埚下部绝热部件，在石墨坩埚及石英坩埚的直体部上方具有坩埚上部绝热部件，具有位于石墨坩埚的直体部外侧的坩埚外侧绝热部件，在石墨坩埚及石英坩埚的直体部内侧具有坩埚内侧绝热部件，在原料熔融液液面的上方具有隔热部件，在坩埚上部绝热部件、坩埚外侧绝热部件和坩埚内侧绝热部件的内侧所形成的空间内，石墨坩埚以及石英坩埚可升降。由此，提供一种能够维持原料熔融液液面的保温性，抑制因凝固等而导致的有错位化的单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法。 | ||
| 搜索关键词： | 绝热部件 坩埚 石墨坩埚 石英坩埚 单晶硅生长装置 熔融液 直体 单晶硅生长 石墨加热器 切克劳斯基单晶生长法 加热器 隔热部件 结晶生长 保温性 可升降 配置 加热 装满 错位 凝固 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅生长装置，其是在加热用的石墨加热器的内侧配置石墨坩埚，在该石墨坩埚的内侧配置石英坩埚，并从该石英坩埚内装满的原料熔融液中使结晶生长，基于切克劳斯基单晶生长法的单晶硅生长装置，其特征在于，在所述石墨加热器的外侧具有加热器外侧绝热部件，在所述石墨坩埚的下部具有坩埚下部绝热部件，在所述石墨坩埚及所述石英坩埚的直体部上方具有坩埚上部绝热部件，具有在所述石墨坩埚上升时位于其直体部外侧的坩埚外侧绝热部件，在所述石墨坩埚及所述石英坩埚的直体部内侧具有坩埚内侧绝热部件，在所述原料熔融液液面的上方具有隔热部件，在所述坩埚内侧绝热部件的内侧具有整流筒，在该整流筒的上端具有冷却筒，所述隔热部件配置在所述整流筒的下端，在所述坩埚上部绝热部件、所述坩埚外侧绝热部件和所述坩埚内侧绝热部件的内侧所形成的空间内，所述石墨坩埚以及所述石英坩埚可在结晶成长轴方向上升降，所述隔热部件具有绝热材料，在所述原料熔融液液面高度上所述石墨坩埚在结晶成长轴方向上的温度梯度为11℃/cm以下。
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