[发明专利]一种芳胺衍生物、其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201810841839.6 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN108864062A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王辉;汪康;李贺;李龙;李小龙;王进政;马晓宇 | 申请（专利权）人： | 吉林奥来德光电材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C07D405/12 | 分类号： | C07D405/12;C07D409/12;C07D307/91;C07D333/76;C07C211/54;C07D307/77;C07D333/50;C07D209/88;C07C211/61;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 130000 吉林省*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种新型芳胺衍生物。该化合物用于有机电致发光二极管和包含该有机电致发光二极管的显示器装置。该有机电致发光二极管的至少一层，特别是空穴传输层中含有式(Ⅰ)所示的芳胺衍生物，使得有机电致发光二极管具有优异的热稳定性、较低的驱动电压以及较长的寿命和高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 有机电致发光二极管 芳胺衍生物 高发光效率 空穴传输层 显示器装置 驱动电压 热稳定性 制备 应用 | ||
【主权项】：
1.一种如式(Ⅰ)所示的芳胺衍生物：![]()
其中，Ar1选自如式(ⅰ)所示的结构、如式(ⅱ)所示的结构或如式(ⅲ)所示的结构；Ar2和Ar3各自独立的选自如式(ⅳ)所示的结构、如式(ⅴ)所示的结构、如式(ⅵ)所示的结构、如式(ⅶ)所示的结构、如式(viii)所示的结构、如式(ix)所示的结构、如式(x)所示的结构或如式(xi)所示的结构，且Ar2和Ar3不同；![]()
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其中，a选自氢、氘、卤素、氰基、羟基、硝基、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C6～C18的芳基取代或未取代的C2～C11的杂芳基或取代或未取代的C3～C18的环烷基；R9选自氢、氘、卤素、氰基、羟基、硝基、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C6～C30芳基或取代或未取代的C2～C30杂芳基；R1～R8各自独立的选自氢、氘、卤素、氰基、羟基、硝基、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C1～C20的烷氧基、取代或未取代的C6～C20的芳氧基、取代或未取代的C3～C40的甲硅烷氧基、取代或未取代的C1～C20的酰基、取代或未取代的C2～C20的烷氧基羰基、取代或未取代的C2～C20的酰氧基、取代或未取代的C2～C20的酰胺基、取代或未取代的C2～C20的烷氧基羰基氨基、取代或未取代的C7～C20的芳氧基羰基氨基、取代或未取代的C1～C20的氨磺酰氨基、取代或未取代的C1～C20的磺酰基、取代或未取代的C1～C20的烷硫基、取代或未取代的C6～C20的芳硫基、取代或未取代的C1～C20的杂环硫基、取代或未取代的C1～C20的酰脲基、取代或未取代的C3～C40的甲硅烷基或任意两个相邻取代基与所在苯环形成稠环。
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