[发明专利]具有偏向控制的压电麦克风及其制造方法有效
| 申请号： | 201810842110.0 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109319726B | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 夏佳杰;拉克什·库玛;M·P·奈尔;N·兰加纳坦 | 申请（专利权）人： | 新加坡商世界先进积体电路私人有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有偏向控制的压电麦克风及其制造方法，其提供一种形成具有互锁/挡止件及微凸块的压电麦克风的方法与所产生的装置。数个具体实施例包括：形成隔膜于具有第一及第二牺牲层设置于其相对两面上的硅衬底上方，该隔膜形成于该第一牺牲层上，形成第一HM于该隔膜上方，形成穿过该第一HM的第一及第二通孔，形成第一垫层于该第一及该第二通孔中且于一暴露上薄膜上方，形成一沟槽到在该第一及该第二通孔之间的该第一牺牲层中以及在该沟槽与第二通孔之间的间隙，图案化在该隔膜上方、在该第一及第二通孔、该沟槽及该间隙中的第二HM，以及形成第二垫层于该第二HM上方以及于该第一及该第二通孔周围的暴露区域中以形成数个垫结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 偏向 控制 压电 麦克风 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包含：形成隔膜于硅(Si)衬底上方，该硅衬底具有第一及第二牺牲层设置于该硅衬底的相对表面上，该隔膜形成于该第一牺牲层上；形成第一硬掩膜(HM)于该隔膜上方；形成穿过该第一硬掩膜且部分穿过该隔膜的第一及第二通孔而暴露上薄膜包围各通孔的一部分；形成第一垫层于该第一及该第二通孔中且于该暴露上薄膜上方；形成沟槽到在该第一及该第二通孔之间的该第一牺牲层以及在该沟槽与第二通孔之间的间隙；图案化在该隔膜上方、在该第一及该第二通孔、该沟槽及该间隙中的第二硬掩膜，以暴露该第一垫层在该第一及该第二通孔周围的区域；以及形成第二垫层于该第二硬掩膜上方且于在该第一及该第二通孔周围的该暴露区域中以形成数个垫结构。
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