[发明专利]中红外超晶格带间跃迁激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201810842211.8 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN108988125B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 张一;牛智川;张宇;徐应强;杨成奥;谢圣文;邵福会;尚金铭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种中红外超晶格带间跃迁激光器，包括：衬底，为N型镓锑材料；下限制层，制备于衬底上，为N型掺杂的AlGaAsSb；下波导层，制备于下限制层上，为非掺杂的AlGaInAsSb；有源区，制备于下波导层上，为超晶格带间跃迁有源区，所述有源区包括：输运电子的InAs/AlSb超晶格；以及输运空穴的InGaSb/AlSb超晶格；上波导层，制备于有源区上，为非掺杂的AlGaInAsSb；上限制层，制备于上波导层上，P型掺杂的AlGaAsSb；以及上接触层，制备于上限制层上，为P型掺杂的GaSb；所述激光器能够缓解量子阱激光器长波长波段容易受到俄歇复合的限制的问题，以及带间级联激光器由于采用W型有源区结构，导致其增益较小，并且其本身对于电子和空穴的限制作用不强导致其较难实现短波长工作等技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 晶格 跃迁 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种中红外超晶格带间跃迁激光器，包括：衬底(100)，为N型镓锑材料；下限制层(200)，制备于衬底(100)上，为N型掺杂的AlGaAsSb；下波导层(300)，制备于下限制层(200)上，为非掺杂的AlGaInAsSb；有源区(400)，制备于下波导层(300)上，为超晶格带间跃迁有源区，包括：输运电子的InAs/AlSb超晶格(410)；以及输运空穴的InGaSb/AlSb超晶格(420)；上波导层(500)，制备于有源区(400)上，为非掺杂的AlGaInAsSb；上限制层(600)，制备于上波导层(500)上，P型掺杂的AlGaAsSb；以及上接触层(700)，制备于上限制层(600)上，为P型掺杂的GaSb。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810842211.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器
- 下一篇：凸型地电极火花塞
