[发明专利]感测元件有效
申请号: | 201810842578.X | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN109326677B | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 高库诺;高昆维;蔡孟伦 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/113 | 分类号: | H01L31/113;H01L31/024 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种感测元件,其包含半导体结构、基板、第一电极、第二电极、以及加热器。感测区域位于半导体结构的上侧。基板位于半导体结构的底侧。第一电极和第二电极设置在半导体结构的上侧。加热器设置在半导体结构上并与感测区域分开一小于100μm的距离。 | ||
搜索关键词: | 元件 | ||
【主权项】:
1.一种感测元件,其特征在于,包含:半导体结构,包含上侧、相对于上侧的底侧、以及位于上侧的感测区域;基板,位于底侧;第一电极以及第二电极,位于该上侧;加热器,位于该半导体结构上,与该感测区域的距离小于100μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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