[发明专利]一种晶圆湿处理设备及晶圆湿处理方法在审
申请号: | 201810842679.7 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN110767571A | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 11283 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人: | 肖冰滨;刘兵 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体生产领域,公开了一种晶圆湿处理设备,包括:可旋转卡盘,可旋转卡盘具有内腔体,内腔体依照晶圆的放置位置被分隔为上腔体和下腔体;第一处理液喷嘴、第二处理液喷嘴和表面张力调降液喷嘴,用于分别向上腔体的中心区供给第一处理液、第二处理液和表面张力调降液;第一加热装置,用于对围绕下腔体的中心区的第一区域进行加热;第二加热装置,用于对围绕第一区域的第二区域进行加热;第一处理液管道和第二处理液管道,用于向下腔体的中心区供给第一处理液和第二处理液;可旋转卡盘内还设有第一调温气道,用于向下腔体的中心区供给调整气体。本发明提供的技术方案能避免晶圆湿处理过程中的凝结缺陷。 | ||
搜索关键词: | 处理液 中心区 可旋转 卡盘 腔体 处理液管道 处理液喷嘴 第一区域 加热装置 内腔体 下腔体 调降 晶圆 加热 湿处理过程 湿处理设备 第二区域 放置位置 上腔体 液喷嘴 调温 分隔 气道 种晶 半导体 凝结 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆湿处理设备,其特征在于,包括:/n可旋转卡盘,所述可旋转卡盘具有内腔体,用于放置晶圆,所述内腔体依照所述晶圆的放置位置被分隔为上腔体和下腔体;/n第一处理液喷嘴、第二处理液喷嘴和表面张力调降液喷嘴,分别设置于所述可旋转卡盘的上方,用于分别向所述上腔体的中心区供给第一处理液、第二处理液和表面张力调降液;/n第一加热装置,用于对围绕所述下腔体的中心区的第一区域进行加热;/n第二加热装置,用于对围绕所述第一区域的第二区域进行加热;/n其中,所述可旋转卡盘内设有第一处理液管道和第二处理液管道,分别贯穿所述可旋转卡盘,用于向所述下腔体的中心区供给第一处理液和第二处理液;/n并且,所述可旋转卡盘内还设有第一调温气道,所述第一调温气道贯穿所述可旋转卡盘,用于向所述下腔体的中心区供给用于调整所述晶圆的下表面的温度的调整气体。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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