[发明专利]一种低工作电压的下行电平移位电路

摘要

一种下行电平移位电路，包括高侧输入网络、共栅耐压结构和低侧锁存电路，高侧输入网络由两路并行的共源结构的PMOS器件组成，将输入信号传输到共栅耐压结构，共栅耐压电路包括一对共栅的PMOS管和一对共栅的NMOS管以及两个钳位二极管，低侧锁存电路包括两对用作线性电阻的NMOS管和一对交叉耦合的NMOS器件形成的锁存器结构，实现高侧电压差很小时将高侧信号传递到低压区。

主权项

1.一种低工作电压的下行电平移位电路，下行降压电平移位电路用于将高压区中的保护信号产生电路产生的包括死区保护信号、欠压信号、过压信号在内的较高电平的保护信号转换成低电平信号，传递给低压区中的低侧信号输出电路，包括依次连接的高侧输入网络、共栅耐压电路和低侧锁存电路，高侧输入网络输入较高电平的保护信号，经共栅耐压电路传递给低侧锁存电路，低侧锁存电路输出两路低电平信号经双端转单端电路输出给低压区中的低侧信号输出电路，以控制低侧信号输出电路的开关状态，从而改变低侧输出信号LO；其特征在于：降低高压区高压区高侧高电平VB的最小工作电压，在高压区高侧高电平VB比较低的情况下，保证下行电平移位电路能够正常工作；所述高侧输入网络包括PMOS管MP1、PMOS管MP2和反相器INV，PMOS管MP1的源极和PMOS管MP2的源极均连接高压区高压区高侧高电平VB，反相器INV的输入信号IN为保护信号产生电路产生的保护信号，PMOS管MP1的栅极连接反相器INV的输入端即输入信号IN，反相器INV的输出端连接PMOS管MP2的栅极，PMOS管MP1的源极和PMOS管MP2的源极分别为高侧输入网络两条支路的输出端连接至共栅耐压电路；所述共栅耐压电路包括PMOS管MP3和PMOS管MP4，NMOS管MN1和NMOS管MN2以及二极管D1和二极管D2；PMOS管MP3的源极连接高侧输入网络中PMOS管MP1的漏极，PMOS管MP4的源极连接高侧输入网络中PMOS管MP2的漏极，PMOS管MP3的栅极与PMOS管MP4的栅极互连并连接高压区高侧低电平VS，PMOS管MP3的漏极连接NMOS管MN1的漏极，PMOS管MP4的漏极连接NMOS管MN2的漏极，NMOS管MN1的栅极与NMOS管MN2的栅极互连并连接低压区低侧高电平VCC，NMOS管MN1的源极连接二极管D1的正极，NMOS管MN2的源极连接二极管D2的正极，二极管D1的负极与二极管D2的负极互连并连接NMOS管MN1的栅极与NMOS管MN2的栅极的互连端即低压区低侧高电平VCC，NMOS管MN1的源极和NMOS管MN2的源极分别为共栅耐压电路两条支路的输出端连接至共栅耐压电路；所述低侧锁存电路包括NMOS管MN3和NMOS管MN4，电阻R1和电阻R2，电阻R1的一端连接共栅耐压电路中NMOS管MN1的源极和NMOS管MN4的栅极，电阻R2的一端连接共栅耐压电路中NMOS管MN2的源极和NMOS管MN3的栅极，电阻R1的另一端连接NMOS管MN3的漏极并作为低侧锁存电路的一条支路的输出端，输出低电平信号OUT2，电阻R2的另一端连接NMOS管MN4的漏极并作为低侧锁存电路的另一条支路的输出端，输出低电平信号OUT1，NMOS管MN3的源极和NMOS管MN4的源极均连接低压区低侧低电平VSS，低电平信号OUT1和OUT2经双端转单端电路输出给低压区中的低侧信号输出电路。