[发明专利]单晶硅片的制备方法

摘要

本发明公开了一种单晶硅片的制备方法，涉及晶体的生长方法技术领域。所述制备方法通过所述单晶硅棒生长装置生长单晶硅棒；通过所述切割装置对所述单晶硅棒进行切割，制备成厚度符合要求的单晶硅片；通过所述裁切装置对所述硅片进行裁切处理，加工出需要的形状；通过所述清洗装置对裁切后的硅片进行清洗，去除硅片表面的杂质；通过所述硅片烘干装置将清洗后的硅片进行烘干处理。所述制备方法能够顺利完成单晶硅片的制备，且系统结构较为简单，制备方便。

主权项

1.一种单晶硅片的制备方法，其特征在于包括如下步骤：通过单晶硅棒生长装置（32）生长单晶硅棒，将所述单晶硅棒取出通过第一传送装置（37）传送给单晶硅棒切割装置（33）进行处理；单晶硅棒切割装置（33）对所述单晶硅棒进行切割，切割成厚度满足需要的单晶硅片，然后将所述单晶硅片通过第二传送装置（38）传送给硅片裁切装置（34）进行处理；硅片裁切装置（34）对所述单晶硅片进行裁切处理，使裁切后的单晶硅片的外形满足需求，然后将裁切后的单晶硅片通过第三传送装置（39）传送给硅片清洗装置（35）进行处理；硅片清洗装置（35）对裁切后的单晶硅片进行清洗处理，以去除单晶硅片表面的杂质，然后将清洗后的单晶硅片通过第四传送装置（40）传送给硅片烘干装置（36）进行处理；硅片烘干装置（36）对清洗后的单晶硅片进行烘干处理，以去除单晶硅片表面残留的水，然后通过硅片烘干装置（36）上的硅片取出装置将烘干后的成品硅片取出，完成单晶硅片的制备。