[发明专利]缺陷被钝化的钙钛矿太阳能电池在审
申请号: | 201810844211.1 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN108987583A | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 郝锋;张洪斌;杨晋安 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人: | 柯海军;武森涛 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及一种缺陷被钝化的钙钛矿太阳能电池,属于太阳能电池技术领域。本发明的缺陷被钝化的钙钛矿太阳能电池包括:钙钛矿吸光层,所述钙钛矿吸光层由掺杂噻唑或噻唑衍生物的钙钛矿前驱体溶液旋涂退火制成,所述前驱体中噻唑或噻唑衍生物的摩尔量为钙钛矿吸光层中CH3NH3PbI3‑xClx摩尔量的A%,0<A≤100,0≤x≤0.5。本发明在钙钛矿前驱体溶液中掺杂噻唑,噻唑与Pb原子发生配位,能调控钙钛矿成核结晶的微观环境,从而使得溶液中有均匀的成核位点,延缓晶体生长,使晶粒尺寸大而均匀,有效抑制钙钛矿中的体缺陷,延长载流子的寿命,避免漏电流的产生。 | ||
搜索关键词: | 钙钛矿 太阳能电池 吸光层 钝化 前驱体溶液 噻唑衍生物 成核 载流子 掺杂 太阳能电池技术 退火 晶体生长 微观环境 有效抑制 晶粒 漏电流 前驱体 体缺陷 配位 位点 旋涂 延缓 调控 | ||
【主权项】:
1.缺陷被钝化的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述电池包括钙钛矿吸光层,所述钙钛矿吸光层由掺杂噻唑或噻唑衍生物的钙钛矿前驱体溶液旋涂退火制成,所述前驱体中噻唑或噻唑衍生物的摩尔量为钙钛矿吸光层中CH3NH3PbI3‑xClx摩尔量的A%,0<A≤100,0≤x≤0.5。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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