[发明专利]一种基于水性纳米墨水制备铜锌锡硫薄膜的方法有效
申请号: | 201810845514.5 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN109037042B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 王威;支国伟;郝凌云;史翠花;张昕曜 | 申请(专利权)人: | 金陵科技学院 |
主分类号: | H01L21/208 | 分类号: | H01L21/208;H01L31/18;H01L31/032 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 王小君;高玲玲 |
地址: | 211169 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明涉及一种基于水性纳米墨水制备铜锌锡硫薄膜的方法,其包括如下步骤:(1)衬底的清洗;(2)前驱体溶液的制备;(3)Cu |
||
搜索关键词: | 一种 基于 水性 纳米 墨水 制备 铜锌锡硫 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于水性纳米墨水制备铜锌锡硫薄膜的方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)衬底的清洗:依次采用去污粉水、去离子水、丙酮‑乙醇混合液、去离子水超声清洗衬底;(2)前驱体溶液的制备:将二价铜盐、二价锌盐、二价锡盐及含硫化合物依次溶解到有机溶剂中,添加比例按照摩尔比Cu/(Zn+Sn)=0.8‑1.2,Sn/Zn=0.8‑1.2,S/(Cu+Zn+Sn)=1‑5;待完全溶解后加入8‑20g/L的表面活性剂,制得前驱体溶液;(3)Cu2ZnSnS4纳米墨水的制备:表面活性剂未完全溶解之前,将得到的前驱体溶液放入到微波反应器中,采用微波法制备Cu2ZnSnS4纳米墨水,微波功率为50‑1000W,微波时间1‑30min;(4)Cu2ZnSnS4预制薄膜的制备:将所制备的Cu2ZnSnS4纳米墨水均匀的涂敷到衬底上,将衬底放置到真空退火炉中;在氮气或氩气气氛中,5‑20℃/min升温速率升温至300‑500℃下烘干并退火处理20‑120min,然后随炉冷却至室温。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于金陵科技学院,未经金陵科技学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810845514.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造