[发明专利]用于化学和/或电解表面处理的分配系统在审
| 申请号： | 201810845817.7 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109306474A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 赫伯特·奥茨林格 | 申请（专利权）人： | 塞姆西斯科有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C18/00 | 分类号： | C23C18/00;C23F1/08;C25D11/00;C25D11/02;C25D17/00;C25D21/12;C25F7/00;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杜诚;杨林森 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于基板在工艺流体中的化学和/或电解表面处理的分配系统，一种用于基板在工艺流体中的化学和/或电解表面处理的装置，以及一种用于基板在工艺流体中的化学和/或电解表面处理的分配方法。用于化学和/或电解表面处理的分配系统包括分配体、至少一个工艺流体入口、以及通道。分配体被配置成将工艺流体的流和/或电流引导至基板。通道至少部分地围绕分配体的周围。分配体包括喷嘴阵列，并且通道被配置成将工艺流体从工艺流体入口分配到喷嘴阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 电解表面处理 工艺流体 分配体 基板 分配系统 工艺流体入口 喷嘴阵列 电流引导 分配 配置 | ||
【主权项】：
1.一种用于基板(30)在工艺流体中的化学和/或电解表面处理的分配系统(10)，包括：分配体(21)，至少一个工艺流体入口(23)，以及通道(24)，其中，所述分配体(21)被配置成将所述工艺流体的流和/或电流引导至所述基板(30)，其中，所述通道(24)至少部分地围绕所述分配体(21)的周围，其中，所述分配体(21)包括喷嘴阵列(25)，以及其中，所述通道(24)被配置成将所述工艺流体从所述工艺流体入口(23)分配到所述喷嘴阵列(25)。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
