[发明专利]多栅指电极的电子束光刻方法及多栅指电极有效
| 申请号： | 201810845865.6 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109003893B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 韩婷婷;冯志红;吕元杰;敦少博;顾国栋 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 王政 |
| 地址： | 050051 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种多栅指电极的电子束光刻方法及多栅指电极。多栅指电极的电子束光刻方法包括：在基片表面涂覆电子束光刻胶；根据版图图形对涂覆电子束光刻胶后的基片进行电子束曝光处理；其中，所述版图图形包括连接臂图形、多个并排排列的栅指图形和至少两个虚拟栅指图形，所述连接臂图形与各个栅指图形的一端连接，所述虚拟栅指图形分别设置在最外侧两个栅指图形的外侧，且所述虚拟栅指图形与所述连接臂图形相隔预设间隔；对电子束曝光处理后的基片进行显影处理。本发明能够制备尺寸均匀的多栅指电极，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 多栅指 电极 电子束光刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多栅指电极的电子束光刻方法，其特征在于，包括：在基片表面涂覆电子束光刻胶；根据版图图形对涂覆电子束光刻胶后的基片进行电子束曝光处理；其中，所述版图图形包括连接臂图形、多个并排排列的栅指图形和至少两个虚拟栅指图形，所述连接臂图形与各个栅指图形的一端连接，所述虚拟栅指图形分别设置在最外侧两个栅指图形的外侧，且所述虚拟栅指图形与所述连接臂图形相隔预设间隔；对电子束曝光处理后的基片进行显影处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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